他是赫瑞德玛的最大的孩子，物联网未9万两个兄弟是欧特和雷金。

司宏国表示，年全LG在多个领域具有专长，而三星自从宣布与高通、谷歌合作以来，就已经取得了很多进展。注：亿美元三星、亿美元高通和谷歌曾于今年2月宣布结成XR联盟，LG总裁赵柱完（音译）也在今年7月举行的中长期业务战略新闻发布会上谈到XR时表示，当时正与几家公司接触并研究商业化的可能性。

司宏国对XR设备的前景表示看好：物联网未9万我们认为2024年将是VR、AR设备的增长高峰年，未来2-5年是持续增长期。高通技术公司副总裁兼XR部门总经理司宏国（HugoSwart）日前在美国毛伊岛上的活动中表示，年全关于合作目前不能透露细节，年全但我们确实在与三星电子、LG电子合作在电流密度为10mAcm−2时，亿美元最优的Frenkel缺陷单层MoS2的过电位(164mV)低于原始单层MoS2表面平面(358mV)或pt单原子掺杂MoS2(211mV)的过电位。

微电化学性能测试了不同缺陷结构的电催化析氢性能，物联网未9万密度泛函理论(DFT)计算揭示了MoS2中Frenkel缺陷引入的独特电荷分布和H吸附位点。年全通过理论计算更深入地揭示了Frenkel缺陷的单层MoS2催化剂高效析氢的机理。

这项工作为点状缺陷MoS2的结构和性能关系提供了深入的见解，亿美元并强调了Frenkel缺陷在调节MoS2材料催化性能方面的优势。

数据概览图1 FD-MoS2的制备及结构表征©2022TheAuthors 图2 基于MoS 2的催化剂的AC-STEM表征 ©2022TheAuthors 图3 利用微电化学装置(微反应器)对二硫化钼催化剂进行HER测量及性能研究 ©2022TheAuthors图4 单层原始MoS 2、物联网未9万FD-MoS 2和Pt-MoS 2的表面电荷密度分布和HER催化活性的DFT计算结果 ©2022TheAuthors 成果启示 该项研究设计和合成了一种Frenkel缺陷单层MoS2催化剂，物联网未9万并通过球差校正扫描透射电子显微镜(AC-STEM)观察揭示了MoS2中Frenkel缺陷的原子构型。通过不同的体系或者计算，年全可以得到能量值如吸附能，活化能等等。

亿美元该项研究也为高性能富锰正极拓宽了其在电池领域的新的应用。XANES X射线吸收近边结构（XANES）又称近边X射线吸收精细结构（NEXAFS），物联网未9万是吸收光谱的一种类型。

因此，年全原位XRD表征技术的引入，可提升我们对电极材料储能机制的理解，并将快速推动高性能储能器件的发展。利用原位表征的实时分析的优势，亿美元来探究材料在反应过程中发生的变化。